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HBT Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'HBT' - Totale: 5 (1/1) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
Company Logo Img
Panasonic Semiconductor
MSG36E41 Datasheet pdf image
141Kb/7P
SiGe HBT type
MSG43001 Datasheet pdf image
94Kb/4P
SiGe HBT type For low-noise RF amplifier
MSG33002 Datasheet pdf image
95Kb/4P
SIGE HBT TYPE FOR LOW-NOISE RF AMPLIFIER
MSG33001 Datasheet pdf image
95Kb/4P
SiGe HBT type For low-noise RF amplifier
MSG43004 Datasheet pdf image
94Kb/4P
SiGe HBT type For low-noise RF amplifier

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Qu'est-ce que HBT


HBT (transistor bipolaire hétérojonction) est un dispositif semi-conducteur principalement utilisé dans les dispositifs et les circuits électroniques à haute fréquence. HBT est fabriqué à l'aide de deux types de matériaux semi-conducteurs, de type de surface et hétérogènes, qui offrent les avantages d'un fonctionnement à grande vitesse, d'un gain de courant élevé et d'une fréquence de coupure élevée. Ces caractéristiques rendent HBT largement utilisé dans les télécommunications et les champs de communication sans fil.

Les HBT conviennent aux applications à haute fréquence et à grande vitesse, en particulier en tant qu'amplificateurs d'alimentation RF dans les systèmes de communication sans fil. De plus, un gain de courant plus élevé permet une puissance de sortie plus élevée. Pour cette raison, HBT est l'un des principaux composants utilisés dans les téléphones mobiles, les communications par satellite, le radar et d'autres dispositifs de communication sans fil.

Les HBT offrent des performances et une efficacité plus élevées que les transistors hétérogènes traditionnels (BJT) et sont particulièrement utiles dans les applications à haute fréquence et à grande vitesse. Il s'agit d'un élément important dans le domaine des communications, permettant une transmission de données et un traitement des données plus rapides.

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