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EPITAXIAL Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'EPITAXIAL' - Totale: 11797 (8/590) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Hitachi Semiconductor
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Silicon NPN Epitaxial
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Silicon NPN Epitaxial
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33Kb/7P
Silicon NPN Epitaxial
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33Kb/6P
Silicon NPN Epitaxial
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Silicon NPN Epitaxial
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Silicon NPN Epitaxial
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29Kb/6P
Silicon NPN Epitaxial
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Micro Electronics
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SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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Diotec Semiconductor
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Si-Epitaxial PlanarTransistors
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GTM CORPORATION
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NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
GJ8550 Datasheet pdf image
129Kb/2P
PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
GMBT9012 Datasheet pdf image
221Kb/2P
PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
GBC327 Datasheet pdf image
189Kb/3P
PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
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Renesas Technology Corp
2SA2080 Datasheet pdf image
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SILICON PNP EPITAXIAL
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Continental Device Indi...
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SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
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STMicroelectronics
2N2102 Datasheet pdf image
48Kb/4P
EPITAXIAL PLANAR NPN
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Continental Device Indi...
CMBTA55 Datasheet pdf image
132Kb/3P
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
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Renesas Technology Corp
HIT647 Datasheet pdf image
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Silicon PNP Epitaxial
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Hitachi Metals, Ltd
2SC5758 Datasheet pdf image
87Kb/10P
Silicon NPN Epitaxial
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Renesas Technology Corp
HIT667 Datasheet pdf image
71Kb/5P
Silicon NPN Epitaxial

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Qu'est-ce que EPITAXIAL


Dans les composants électroniques, «épitaxial» est un terme utilisé dans la technologie de fabrication de semi-conducteurs et se réfère à une technologie qui forme une couche de semi-conductrice avec un processus de croissance critique. Cette technologie est utilisée pour améliorer les performances des appareils semi-conducteurs, en particulier dans la fabrication de semi-conducteurs à base de silicium.

Le dépôt épitaxial est le processus de dépôt d'une ou plusieurs couches supplémentaires au-dessus d'un prototype de semi-conducteur existant. Ce processus est également appelé épitaxie et se fait généralement en utilisant des méthodes telles que le dépôt chimique de vapeur (CVD) ou le dépôt physique de vapeur (PVD).

Le dépôt épitaxial est utilisé à diverses fins:

Performances améliorées: améliore la mobilité et la vitesse des électrons en formant une structure cristalline de meilleure qualité que le matériau de base des appareils semi-conducteurs.

DOPING: Dans le processus épitaxial, des atomes ou des ions spécifiques peuvent être dopés pour donner des propriétés électriques souhaitées.

Amélioration de la stabilité: la couche épitaxiale a la même structure de réseau que le prototype sous-jacent, ce qui le rend plus stable que les couches formées par d'autres techniques.

Intégration de l'appareil: les processus épitaxiaux sont utilisés pour intégrer plusieurs appareils dans une seule puce semi-conductrice en déposant plusieurs couches.

Le dépôt épitaxial est considéré comme une technologie clé dans la fabrication de semi-conducteurs et joue un rôle clé dans l'amélioration des performances et de l'efficacité des appareils semi-conducteurs. Cette technologie constitue la base du développement d'un large éventail de produits dans l'industrie des semi-conducteurs, y compris des microprocesseurs à haute performance, des puces mémoire et des LED.

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