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EPITAXIAL Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'EPITAXIAL' - Totale: 142 (1/8) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
Company Logo Img
Seme LAB
2N4914 Datasheet pdf image
187Kb/3P
SILICON EPITAXIAL
BFX38 Datasheet pdf image
47Kb/3P
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
2N5154N2A Datasheet pdf image
286Kb/3P
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
2N5883 Datasheet pdf image
195Kb/3P
SILICON EPITAXIAL PNP TRANSISTOR
1N4149CSM Datasheet pdf image
11Kb/1P
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
2N5014 Datasheet pdf image
15Kb/1P
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
2N5154N1B Datasheet pdf image
342Kb/3P
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
BFX48 Datasheet pdf image
18Kb/2P
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
BUP54 Datasheet pdf image
20Kb/2P
NPN MULTI-EPITAXIAL TRANSISTOR
2N4915 Datasheet pdf image
187Kb/3P
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
2N5154N2A Datasheet pdf image
285Kb/3P
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
2N5781 Datasheet pdf image
37Kb/2P
SILICON EPITAXIAL PNP TRANSISTOR
2N5784 Datasheet pdf image
42Kb/2P
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
2N5786 Datasheet pdf image
21Kb/2P
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
BUP56 Datasheet pdf image
15Kb/2P
NPN MULTI-EPITAXIAL TRANSISTOR
BUP35 Datasheet pdf image
176Kb/4P
SILICON LPN EPITAXIAL PLANAR
BC109CSM Datasheet pdf image
162Kb/3P
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
2N5014 Datasheet pdf image
36Kb/1P
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
1N6640D2A Datasheet pdf image
184Kb/4P
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
1N6642D1A Datasheet pdf image
323Kb/4P
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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Qu'est-ce que EPITAXIAL


Dans les composants électroniques, «épitaxial» est un terme utilisé dans la technologie de fabrication de semi-conducteurs et se réfère à une technologie qui forme une couche de semi-conductrice avec un processus de croissance critique. Cette technologie est utilisée pour améliorer les performances des appareils semi-conducteurs, en particulier dans la fabrication de semi-conducteurs à base de silicium.

Le dépôt épitaxial est le processus de dépôt d'une ou plusieurs couches supplémentaires au-dessus d'un prototype de semi-conducteur existant. Ce processus est également appelé épitaxie et se fait généralement en utilisant des méthodes telles que le dépôt chimique de vapeur (CVD) ou le dépôt physique de vapeur (PVD).

Le dépôt épitaxial est utilisé à diverses fins:

Performances améliorées: améliore la mobilité et la vitesse des électrons en formant une structure cristalline de meilleure qualité que le matériau de base des appareils semi-conducteurs.

DOPING: Dans le processus épitaxial, des atomes ou des ions spécifiques peuvent être dopés pour donner des propriétés électriques souhaitées.

Amélioration de la stabilité: la couche épitaxiale a la même structure de réseau que le prototype sous-jacent, ce qui le rend plus stable que les couches formées par d'autres techniques.

Intégration de l'appareil: les processus épitaxiaux sont utilisés pour intégrer plusieurs appareils dans une seule puce semi-conductrice en déposant plusieurs couches.

Le dépôt épitaxial est considéré comme une technologie clé dans la fabrication de semi-conducteurs et joue un rôle clé dans l'amélioration des performances et de l'efficacité des appareils semi-conducteurs. Cette technologie constitue la base du développement d'un large éventail de produits dans l'industrie des semi-conducteurs, y compris des microprocesseurs à haute performance, des puces mémoire et des LED.

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