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EPITAXIAL Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'EPITAXIAL' - Totale: 1279 (1/64) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Panasonic Semiconductor
2SD1151 Datasheet pdf image
282Kb/6P
NPN EPITAXIAL PLANAR
2SA963 Datasheet pdf image
109Kb/3P
SILICON EPITAXIAL PLANAR
2SD2184 Datasheet pdf image
38Kb/2P
Silicon NPN epitaxial planer type(Silicon NPN epitaxial planer type)
2SB642 Datasheet pdf image
50Kb/3P
Silicon PNP epitaxial planer type(Silicon PNP epitaxial planer type)
2SB790 Datasheet pdf image
37Kb/2P
Silicon PNP epitaxial planer type(Silicon PNP epitaxial planer type)
2SC3313 Datasheet pdf image
37Kb/2P
Silicon NPN epitaxial planer type(Silicon NPN epitaxial planer type)
UP04315 Datasheet pdf image
106Kb/4P
Silicon NPN epitaxial planar type Silicon PNP epitaxial planar type
MA2SD24 Datasheet pdf image
77Kb/3P
Silicon epitaxial planar type
XN4506 Datasheet pdf image
33Kb/2P
NPN epitaxial planer transistor
MA3S795E Datasheet pdf image
46Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA3X075E Datasheet pdf image
41Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA3X199 Datasheet pdf image
46Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA3X789 Datasheet pdf image
45Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA3ZD12 Datasheet pdf image
40Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA2Q739 Datasheet pdf image
44Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA2X073 Datasheet pdf image
39Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA2X334 Datasheet pdf image
45Kb/3P
Silicon epitaxial planar type
MA3J142A Datasheet pdf image
47Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA3J147 Datasheet pdf image
47Kb/2P
Silicon epitaxial planar type
MA3X715 Datasheet pdf image
88Kb/3P
Silicon epitaxial planar type

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Qu'est-ce que EPITAXIAL


Dans les composants électroniques, «épitaxial» est un terme utilisé dans la technologie de fabrication de semi-conducteurs et se réfère à une technologie qui forme une couche de semi-conductrice avec un processus de croissance critique. Cette technologie est utilisée pour améliorer les performances des appareils semi-conducteurs, en particulier dans la fabrication de semi-conducteurs à base de silicium.

Le dépôt épitaxial est le processus de dépôt d'une ou plusieurs couches supplémentaires au-dessus d'un prototype de semi-conducteur existant. Ce processus est également appelé épitaxie et se fait généralement en utilisant des méthodes telles que le dépôt chimique de vapeur (CVD) ou le dépôt physique de vapeur (PVD).

Le dépôt épitaxial est utilisé à diverses fins:

Performances améliorées: améliore la mobilité et la vitesse des électrons en formant une structure cristalline de meilleure qualité que le matériau de base des appareils semi-conducteurs.

DOPING: Dans le processus épitaxial, des atomes ou des ions spécifiques peuvent être dopés pour donner des propriétés électriques souhaitées.

Amélioration de la stabilité: la couche épitaxiale a la même structure de réseau que le prototype sous-jacent, ce qui le rend plus stable que les couches formées par d'autres techniques.

Intégration de l'appareil: les processus épitaxiaux sont utilisés pour intégrer plusieurs appareils dans une seule puce semi-conductrice en déposant plusieurs couches.

Le dépôt épitaxial est considéré comme une technologie clé dans la fabrication de semi-conducteurs et joue un rôle clé dans l'amélioration des performances et de l'efficacité des appareils semi-conducteurs. Cette technologie constitue la base du développement d'un large éventail de produits dans l'industrie des semi-conducteurs, y compris des microprocesseurs à haute performance, des puces mémoire et des LED.

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