EPITAXIAL Datasheet(PDF) - S9018 - SUNMATE electronic Co., LTD

Qu'est-ce que EPITAXIAL

Dans les composants électroniques, «épitaxial» est un terme utilisé dans la technologie de fabrication de semi-conducteurs et se réfère à une technologie qui forme une couche de semi-conductrice avec un processus de croissance critique. Cette technologie est utilisée pour améliorer les performances des appareils semi-conducteurs, en particulier dans la fabrication de semi-conducteurs à base de silicium.

Le dépôt épitaxial est le processus de dépôt d'une ou plusieurs couches supplémentaires au-dessus d'un prototype de semi-conducteur existant. Ce processus est également appelé épitaxie et se fait généralement en utilisant des méthodes telles que le dépôt chimique de vapeur (CVD) ou le dépôt physique de vapeur (PVD).

Le dépôt épitaxial est utilisé à diverses fins:

Performances améliorées: améliore la mobilité et la vitesse des électrons en formant une structure cristalline de meilleure qualité que le matériau de base des appareils semi-conducteurs.

DOPING: Dans le processus épitaxial, des atomes ou des ions spécifiques peuvent être dopés pour donner des propriétés électriques souhaitées.

Amélioration de la stabilité: la couche épitaxiale a la même structure de réseau que le prototype sous-jacent, ce qui le rend plus stable que les couches formées par d'autres techniques.

Intégration de l'appareil: les processus épitaxiaux sont utilisés pour intégrer plusieurs appareils dans une seule puce semi-conductrice en déposant plusieurs couches.

Le dépôt épitaxial est considéré comme une technologie clé dans la fabrication de semi-conducteurs et joue un rôle clé dans l'amélioration des performances et de l'efficacité des appareils semi-conducteurs. Cette technologie constitue la base du développement d'un large éventail de produits dans l'industrie des semi-conducteurs, y compris des microprocesseurs à haute performance, des puces mémoire et des LED.

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Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
SUNMATE electronic Co.,...	S9018	719Kb/3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
	LL914	290Kb/1P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES
	1SS110	244Kb/1P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES
	2SC945	749Kb/3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
	MCL-SS352	536Kb/2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
	1SS88	297Kb/2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES
	S9011	504Kb/2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
	1SS86	290Kb/2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES
	S9013	752Kb/3P	NPN SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
	M28S	650Kb/3P	NPN SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
	S8050	718Kb/3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANS ISTOR
	S9014	673Kb/3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANS ISTOR
	S9016	724Kb/3P	NPN SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
	RB500V-40	236Kb/2P	SILICONG EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

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