EFFECT Datasheet(PDF) - 2SK3055 - Renesas Technology Corp

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Qu'est-ce que EFFECT

L'effet des pièces électroniques signifie les changements physiques, électriques et chimiques des pièces qui peuvent être causées par divers facteurs.

Par exemple, les caractéristiques électriques d'une pièce peuvent être affectées par les changements environnementaux, ou les propriétés physiques d'une pièce peuvent changer en raison de conditions d'utilisation.

Dans les pièces électroniques, l'effet est l'un des facteurs importants pour évaluer la fiabilité des pièces.

Selon l'environnement dans lequel la pièce est utilisée, un effet peut se produire, ce qui peut raccourcir la durée de vie de la pièce ou, dans les cas graves, endommager la fonction de la pièce.

Par conséquent, il est important de sélectionner et de concevoir des pièces en tenant compte de leur effet.

Par exemple, l'effet des composants électroniques peut être affecté par des facteurs environnementaux tels que la température élevée, l'humidité élevée, les vibrations, le choc et le rayonnement.

Les composants utilisés dans ces environnements doivent être résistants à l'environnement, et les composants à haute fiabilité doivent être sélectionnés et conçus.

Par conséquent, lors de la sélection ou de la conception de composants électroniques, il est important de sécuriser la fiabilité des composants en considérant des facteurs environnementaux tels que l'effet.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	2SK3055	237Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1999
	2SK3116	237Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1998
	2SK3230B	239Kb/7P	JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 2004
	2SK3295	238Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2000
	2SK3322	250Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2000
	2SK3386	241Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2000
	2SK3507	306Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2001
	2SK3573	217Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2002
	2SK3755	302Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2004
	2SK3402	238Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2000
	2SK3432	324Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2001
	2SJ184	559Kb/9P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1991
	2SJ212	535Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1990
	NP160N04TUK	912Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR May 24, 2018
	UPA606T	178Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	UPA1820	291Kb/8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2002
	UPA1830	301Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2002
	UPA1856	208Kb/10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 1999
	UPA2350	417Kb/11P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2006
	UPA2351T1P	400Kb/11P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2009

EFFECT Fiches technique, PDF

Qu'est-ce que EFFECT

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