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DRAIN Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'Drain' - Totale: 1788 (4/90) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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STMicroelectronics
74V2T07 Datasheet pdf image
93Kb/7P
TRIPLE BUFFER (OPEN DRAIN)
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Toshiba Semiconductor
TC7WZ05FK Datasheet pdf image
143Kb/7P
Triple Inverter (open drain)
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STMicroelectronics
74V1T07 Datasheet pdf image
47Kb/7P
SINGLE BUFFER OPEN DRAIN
October 1999
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Toshiba Semiconductor
TC74HC05AP Datasheet pdf image
218Kb/5P
HEX INVERTER (OPEN DRAIN)
TC74VHC05F Datasheet pdf image
214Kb/8P
Hex Inverter (open drain)
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ON Semiconductor
NLU2G06 Datasheet pdf image
72Kb/7P
Dual Inverter, Open Drain
July, 2016 ??Rev. 4
NLX2G06 Datasheet pdf image
79Kb/8P
Dual Inverter, Open Drain
June, 2016 ??Rev. 3
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National Semiconductor ...
MM74HC05 Datasheet pdf image
105Kb/4P
Hex Inverter (Open Drain)
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STMicroelectronics
74V1G05 Datasheet pdf image
111Kb/9P
SINGLE INVERTER (OPEN DRAIN)
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Toshiba Semiconductor
TC74HC07AP Datasheet pdf image
220Kb/5P
HEX BUFFER (OPEN DRAIN)
TC7SZ07AFS Datasheet pdf image
157Kb/6P
NON-Inverter (Open Drain)
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Fairchild Semiconductor
MM74C906 Datasheet pdf image
53Kb/5P
Hex Open Drain N-Channel Buffers . Hex Open Drain P-Channel Buffers
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Leshan Radio Company
MC74VHC1G05 Datasheet pdf image
153Kb/4P
Inverter with Open Drain Output
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NXP Semiconductors
74LVC1G07 Datasheet pdf image
67Kb/15P
Buffer with open-drain output
2004 Sep 07
74LVC2G07 Datasheet pdf image
82Kb/13P
Buffers with open-drain outputs
2004 Sep 08
74HC3G07 Datasheet pdf image
80Kb/14P
Buffer with open-drain outputs
2003 Oct 15
74LVC1G06 Datasheet pdf image
87Kb/14P
Inverter with open-drain output
Rev. 07-12 July 2007
74LVC2G06 Datasheet pdf image
88Kb/15P
Inverters with open-drain outputs
Rev. 03-21 May 2007
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Unisonic Technologies
U74HCT3G07 Datasheet pdf image
161Kb/4P
BUFFER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT
U74LVC2G07 Datasheet pdf image
194Kb/5P
BUFFERS WITH OPEN-DRAIN OUTPUTS

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Qu'est-ce que Drain


Dans l'électronique, le «drain» est un terme utilisé dans certains dispositifs semi-conducteurs tels que le MOSFET (transistor à effets champs-à l'oxyde de métal-oxyde-semi-conducteur).

Un MOSFET est un dispositif semi-conducteur qui permet au courant de s'écouler en contrôlant la tension et est principalement utilisé pour la commutation et l'amplification. Un MOSFET a trois épingles, dont l'une est la broche «drain». Les deux autres broches sont «Gate» et «Source».

Égoutter (drain): Le drain est la broche de sortie du MOSFET, le courant laissera l'appareil à travers cette broche. La broche de vidange sert à collecter le courant comme la partie où le canal du MOSFET est formé. En règle générale, la connexion électrique se situe entre la broche de vidange du MOSFET et la source d'alimentation ou la charge du circuit.

Porte (porte): la porte est la broche de commande du MOSFET. Lorsque la tension est appliquée à cette broche, elle régule le flux de courant entre le drain et la source en contrôlant la conduction du canal.

Source (source): La source est la broche d'entrée du MOSFET, le courant va dans cette broche. La conductivité du canal change en fonction de la tension appliquée à la porte, et en conséquence, le courant circule entre le drain et la source.

Les MOSFET sont utilisés dans une variété d'applications, principalement dans la conversion de puissance, les circuits de commutation et les circuits d'amplificateur. Le drain joue un rôle important dans le contrôle du fonctionnement du MOSFET. Cela permet au MOSFET d'effectuer diverses fonctions en contrôlant la conduction du canal et en permettant ou bloquant le courant, selon la tension appliquée et la tension appliquée à la porte.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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