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DRAIN Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DRAIN' - Totale: 1788 (9/90) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Hitachi Semiconductor
J205557_HD74ALVC1G07 Datasheet pdf image
234Kb/11P
Single Buffer / Driver with Open Drain
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General Semiconductor
GF6968A Datasheet pdf image
152Kb/5P
Common-Drain Dual N-Channel MOSFET
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NXP Semiconductors
74LVC3G06 Datasheet pdf image
101Kb/16P
Triple inverter with open-drain output
Rev. 07-12 March 2009
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ON Semiconductor
NL17SZ06 Datasheet pdf image
107Kb/6P
Single Inverter with Open Drain Outputs
April, 2012 ??Rev. 7
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Diodes Incorporated
74LVC04A Datasheet pdf image
192Kb/10P
HEX BUFFERS WITH OPEN DRAIN OUTPUTS
74AUP2G07 Datasheet pdf image
443Kb/12P
DUAL BUFFERS WITH OPEN DRAIN OUTPUTS
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Fairchild Semiconductor
FDPC4044 Datasheet pdf image
385Kb/7P
Common Drain N-Channel PowerTrench MOSFET
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Dallas Semiconductor
DS1816R Datasheet pdf image
122Kb/5P
3.3V EconoReset with Open Drain Output
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Micrel Semiconductor
MIC6315 Datasheet pdf image
523Kb/8P
Open-Drain 關P Reset Circuit
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NXP Semiconductors
74HC_HCT3G06 Datasheet pdf image
182Kb/14P
Triple inverter with open-drain outputs
Rev. 4-19 December 2013
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Unisonic Technologies
U74LVC1G06 Datasheet pdf image
188Kb/5P
SINGLE INVERTER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT
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NXP Semiconductors
NCX2222 Datasheet pdf image
580Kb/18P
Low voltage comparator; open-drain output
Rev. 1-20 December 2012
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Inchange Semiconductor ...
2SK1010 Datasheet pdf image
66Kb/2P
Drain Current ?밒D=6A@ TC=25C
2SK1020 Datasheet pdf image
68Kb/2P
Drain Current ?밒D=30A@ TC=25C
1N50A Datasheet pdf image
54Kb/2P
Drain Current ID= 1.2A@ TC=25C
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ON Semiconductor
NL17SZ05 Datasheet pdf image
104Kb/5P
Single Inverter with Open Drain Outputs
November, 2013 ??Rev. P0
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Inchange Semiconductor ...
2SK528 Datasheet pdf image
66Kb/2P
Drain Current ?밒D=2A@ TC=25C
2SK627 Datasheet pdf image
64Kb/2P
Drain Source Voltage-: VDSS= 50V(Min)
2SK843 Datasheet pdf image
66Kb/2P
Drain Current ?밒D=10A@ TC=25C
2SK849 Datasheet pdf image
66Kb/2P
Drain Current ?밒D=40A@ TC=25C

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Qu'est-ce que DRAIN


Dans l'électronique, le «drain» est un terme utilisé dans certains dispositifs semi-conducteurs tels que le MOSFET (transistor à effets champs-à l'oxyde de métal-oxyde-semi-conducteur).

Un MOSFET est un dispositif semi-conducteur qui permet au courant de s'écouler en contrôlant la tension et est principalement utilisé pour la commutation et l'amplification. Un MOSFET a trois épingles, dont l'une est la broche «drain». Les deux autres broches sont «Gate» et «Source».

Égoutter (drain): Le drain est la broche de sortie du MOSFET, le courant laissera l'appareil à travers cette broche. La broche de vidange sert à collecter le courant comme la partie où le canal du MOSFET est formé. En règle générale, la connexion électrique se situe entre la broche de vidange du MOSFET et la source d'alimentation ou la charge du circuit.

Porte (porte): la porte est la broche de commande du MOSFET. Lorsque la tension est appliquée à cette broche, elle régule le flux de courant entre le drain et la source en contrôlant la conduction du canal.

Source (source): La source est la broche d'entrée du MOSFET, le courant va dans cette broche. La conductivité du canal change en fonction de la tension appliquée à la porte, et en conséquence, le courant circule entre le drain et la source.

Les MOSFET sont utilisés dans une variété d'applications, principalement dans la conversion de puissance, les circuits de commutation et les circuits d'amplificateur. Le drain joue un rôle important dans le contrôle du fonctionnement du MOSFET. Cela permet au MOSFET d'effectuer diverses fonctions en contrôlant la conduction du canal et en permettant ou bloquant le courant, selon la tension appliquée et la tension appliquée à la porte.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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