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DRAIN Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DRAIN' - Totale: 12 (1/1) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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saftbatteries
LO40SX Datasheet pdf image
447Kb/2P
3.0 V Primary lithium-sulfur dioxide High drain capability
LO35SX Datasheet pdf image
784Kb/2P
3.0 V Primary lithium-sulfur dioxide High drain capability
LO25SX Datasheet pdf image
519Kb/2P
3.0 V Primary lithium - sulfur dioxide High drain capability
LO29SHX Datasheet pdf image
462Kb/2P
3.0 V Primary lithium - sulfur dioxide Very high drain and pulse capability
LO30SHX Datasheet pdf image
505Kb/2P
3.0 V Primary lithium - sulfur dioxide Very high drain and pulse capability
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330Kb/2P
3.0 V Primary lithium-sulfur dioxide High drain capability AA- size spiral cell
LO26SX Datasheet pdf image
544Kb/2P
3.0 V Primary lithium - sulfur dioxide High drain capability D- size spiral cell
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447Kb/2P
3.0 V Primary lithium-sulfur dioxide High drain capability C-size spiral cell
G26 Datasheet pdf image
657Kb/2P
3.0 V Primary lithium-sulfur dioxide High drain capability D- size spiral cell
G043 Datasheet pdf image
548Kb/2P
3.0 V Primary lithium-sulfur dioxide High drain capability 1/2 AA- size spiral cell
BA5567 Datasheet pdf image
337Kb/2P
3 V Primary lithium sulfur dioxide High drain capability 1/3 C-size spiral cell
LO26SHX Datasheet pdf image
520Kb/2P
3.0 V Primary lithium - sulfur dioxide Very high drain and pulse capability D- size spiral cell

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Qu'est-ce que DRAIN


Dans l'électronique, le «drain» est un terme utilisé dans certains dispositifs semi-conducteurs tels que le MOSFET (transistor à effets champs-à l'oxyde de métal-oxyde-semi-conducteur).

Un MOSFET est un dispositif semi-conducteur qui permet au courant de s'écouler en contrôlant la tension et est principalement utilisé pour la commutation et l'amplification. Un MOSFET a trois épingles, dont l'une est la broche «drain». Les deux autres broches sont «Gate» et «Source».

Égoutter (drain): Le drain est la broche de sortie du MOSFET, le courant laissera l'appareil à travers cette broche. La broche de vidange sert à collecter le courant comme la partie où le canal du MOSFET est formé. En règle générale, la connexion électrique se situe entre la broche de vidange du MOSFET et la source d'alimentation ou la charge du circuit.

Porte (porte): la porte est la broche de commande du MOSFET. Lorsque la tension est appliquée à cette broche, elle régule le flux de courant entre le drain et la source en contrôlant la conduction du canal.

Source (source): La source est la broche d'entrée du MOSFET, le courant va dans cette broche. La conductivité du canal change en fonction de la tension appliquée à la porte, et en conséquence, le courant circule entre le drain et la source.

Les MOSFET sont utilisés dans une variété d'applications, principalement dans la conversion de puissance, les circuits de commutation et les circuits d'amplificateur. Le drain joue un rôle important dans le contrôle du fonctionnement du MOSFET. Cela permet au MOSFET d'effectuer diverses fonctions en contrôlant la conduction du canal et en permettant ou bloquant le courant, selon la tension appliquée et la tension appliquée à la porte.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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