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DIFFUSION Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DIFFUSION' - Totale: 418 (1/21) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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KODENSHI_AUK CORP.
SO3517 Datasheet pdf image
259Kb/3P
Orange colored diffusion lens
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Nihon Inter Electronics...
FSU08C60 Datasheet pdf image
221Kb/5P
Diffusion type silicon diode
KSF30A20E Datasheet pdf image
44Kb/4P
DIFFUSION-TYPE SILICON DIODE
TCU10A30 Datasheet pdf image
101Kb/4P
Diffusion type Silicon diode
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KODENSHI_AUK CORP.
SYB5670 Datasheet pdf image
301Kb/3P
Milky Diffusion lens type
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Panasonic Semiconductor
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49Kb/2P
Silicon NPN triple diffusion planar type(Silicon NPN triple diffusion planar type)
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Nihon Inter Electronics...
20KDA20 Datasheet pdf image
87Kb/5P
Diffusion-type Sillicon Rectifier Diode
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KODENSHI_AUK CORP.
SA5711 Datasheet pdf image
273Kb/3P
Red colored diffusion lens type
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Panasonic Semiconductor
2SC3869 Datasheet pdf image
51Kb/3P
Silicon NPN triple diffusion type
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Hi-Sincerity Mocroelect...
HBF4522D Datasheet pdf image
32Kb/3P
NPN TRIPLE DIFFUSION PLANAR TRANSISTOR
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Panasonic Semiconductor
2SC5909 Datasheet pdf image
78Kb/3P
Silicon NPN triple diffusion mesa type
22SC5405 Datasheet pdf image
37Kb/2P
Silicon NPN triple diffusion planar type
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98Kb/4P
Silicon NPN triple diffusion planar type
2SC5884 Datasheet pdf image
75Kb/3P
Silicon NPN triple diffusion mesa type
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59Kb/3P
Silicon NPN triple diffusion planar type
2SC5121 Datasheet pdf image
38Kb/2P
Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1350 Datasheet pdf image
39Kb/2P
Silicon NPN triple diffusion planer type
2SD1742 Datasheet pdf image
49Kb/2P
Silicon NPN triple diffusion planar type
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Asahi Kasei Microsystem...
AK8125AE Datasheet pdf image
363Kb/10P
EMI Countermeasure Spectrum Scan Diffusion IC
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Nell Semiconductor Co.,...
2SC5027 Datasheet pdf image
258Kb/5P
Silicon NPN triple diffusion planar transistor

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Qu'est-ce que DIFFUSION


Dans les composants électroniques, la «diffusion» est l'un des processus de fabrication de semi-conducteurs, ce qui signifie le processus d'injection d'ions ou d'atomes dans des matériaux semi-conducteurs pour former des matériaux souhaités. La diffusion est utilisée pour contrôler la distribution des matériaux de dopage dans les dispositifs semi-conducteurs ou pour former des régions semi-conductrices avec les caractéristiques souhaitées.

La diffusion se compose des étapes suivantes:

Purification: affiner les matières premières semi-conductrices et préparer les composants dans un état propre. Ce processus garantit un processus de diffusion précis en supprimant les impuretés et en maintenant le substrat semi-conducteur propre.

Masquage: Pendant le processus de diffusion, un matériau de masquage est utilisé pour protéger le substrat pour définir la région de semi-conducteur souhaitée. Le masquage restreint la zone afin que la diffusion ne se produise que là où vous le souhaitez.

Diffusion: Injectez le matériau souhaité dans le substrat à l'aide d'un équipement de diffusion. Les ions ou les atomes pénètrent la surface du substrat semi-conducteur et se diffusent dans le substrat pour contrôler la concentration de la substance. Le temps et la température de diffusion sont des paramètres importants qui déterminent le taux de diffusion et la concentration d'une substance.

Diffusion inverse et purification: Une fois la diffusion terminée, le matériau indésirable est retiré à l'aide d'un équipement de diffusion ou de diffusion inversé. Cette étape est effectuée pour purifier le substrat semi-conducteur.

La diffusion est l'une des étapes importantes du processus de fabrication de semi-conducteurs, et elle affecte les caractéristiques électriques et le fonctionnement des dispositifs semi-conducteurs. En particulier, la diffusion est utilisée pour des tâches importantes telles que le contrôle du niveau de dopage des dispositifs semi-conducteurs, la formation de jonctions PN et la création de structures multicouches.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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