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DIFFUSED Fiches technique, PDF

Mot-clé recherché : 'DIFFUSED' - Totale: 2601 (11/131) Pages
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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NXP Semiconductors
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Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 1.000
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69Kb/7P
Silicon Diffused Power Transistor
May 1998 Rev 1.000
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Silicon Diffused Power Transistor
May 1998 Rev 1.100
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Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 1.000
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Silicon Diffused Power Transistor
January 1998 Rev 1.000
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Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 1.000
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Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 1.000
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Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 1.000
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Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 1.200
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Silicon Diffused Power Transistor
August 1998 Rev 1.000
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Silicon Diffused Power Transistor
August 1998 Rev 1.000
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Silicon Diffused Power Transistor
September 1997 Rev 1.300
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Silicon Diffused Power Transistor
September 1997 Rev 1.200
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Silicon Diffused Power Transistor
September 1997 Rev 1.200
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Silicon Diffused Power Transistor
December 1995 Rev 1.200
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Silicon Diffused Power Transistor
July 1998 Rev 2.500
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Silicon Diffused Power Transistor
September 1997 Rev 2.300
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Silicon Diffused Power Transistor
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Silicon Diffused Power Transistor
ovember 1999 Rev 1.100
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Silicon Diffused Power Transistor
March 1999 Rev 1.000

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Qu'est-ce que DIFFUSED


Dans les composants électroniques, diffusé est un terme couramment utilisé dans le processus de fabrication de semi-conducteurs.

Dans le processus de fabrication de semi-conducteurs, diffus fait généralement référence à une technologie qui dissout les impuretés dans un matériau semi-conducteur et provoque une réaction d'oxydation pour créer un dispositif semi-conducteur souhaité.

Ces technologies sont l'un des processus importants pour déterminer les caractéristiques des dispositifs semi-conducteurs.

Par exemple, dans les dispositifs semi-conducteurs utilisant du silicium, la diffusion (une technologie qui provoque une réaction d'oxydation par la fusion) est couramment utilisée pour former une jonction PN (jonction positive négative) à l'intérieur du dispositif.

Cette jonction PN est l'un des composants de base des diodes, des transistors et des circuits intégrés utilisés dans divers composants électroniques, et est un facteur important pour déterminer les caractéristiques électriques des dispositifs semi-conducteurs.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.


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