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4.9M Fiches technique, PDF |
| Mot-clé recherché : '4.9M' - Totale: 5 (1/1) Pages |
| Fabricant | No de pièce | Fiches technique | Description |
 MagnaChip Semiconductor... |
MDV1522 | 
855Kb/6P |
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 28A, 4.9m(ohm) |
 International Rectifier |
IRF1405ZPBF |
812Kb/13P |
AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 75A ) |
| IRF1405ZS-7PPBF |
696Kb/12P |
HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 120A ) | |
 Renesas Technology Corp |
RJK0454DPB |
152Kb/7P |
40V, 40A, 4.9m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| RJK0454DPB |
152Kb/7P |
40V, 40A, 4.9m??max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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